Описание элемента Ga ионы I II III IV V VI

Атом Галлия, Z=31, I.P.=165458 см-1, InChI: 1S/Ga/q+1

Спектр иона  Галлия (Ga II)

Описание

   Электронная структура однократного иона атома галлия Ga II содержит 30 электронов на 7 оболочках. Основной терм - синглет 1S0 конфигурации 4s2. При возбуждении s-электрона возникают синглетные и триплетные термы конфигураций 4snl. Оптический спектр Ga II впервые исследовали Sawyer R. и Lang R. (1929). Спектр аналогичен спектру атома Zn I, но линии сдвинуты в УФ-область.

Использованная литература:

Sorensen G. // Phys. Rev. A - 1973 - Vol. 7, № 1 - P. 85-90.

Curtis L. // Phys. Scr. - 2000 - Vol.62, № 1 - P. 31-35.

McElroy T., Hibbert A. // Phys. Scr. - 2005 - Vol. 71 - P. 479-483.

Shirai T. et al. // J. Phys. and Chem. Ref. Data - 2007 - Vol. 36 - P. 509-615.

Dunne P. et al. // Phys. Rev. A - 1993 - Vol. 48, № 6 - P. 4358-4364.

Lindgard A. et al. // Z. Phys. A - 1981 - Vol. 301, № 1 - P. 1-10.

Andersson M. et al. // J. Phys. B - 2006 - Vol. 39 - P. 4239-4247.

Jonsson P. et al. // J. Phys. B - 2006 - Vol. 39 - P. 1831-1824.

Isberg B., Litzen U. // Phys. Scr. - 1985 - Vol. 31, № 6 - P. 533-538.

 

Электронная структура

Найдено 95 уровней. [Посмотреть]

Найдено 177 переходов. [Посмотреть]