Информационная система «Электронная структура атомов»

Описание элемента Si ионы I II III IV V VI VII VIII IX X XI ²⁴Si

Ион Кремния, Z=14, I.P.=131818 см^-1, InChI: 1S/Si/q+1

Описание

Электронная структура однократного иона кремния Si II содержит 13 электронов на 5 оболочках. Основной терм - дублет  ² P_1/2-3/2 конфигурации 3s²3p. При возбуждении p-электрона возникают дублетные термы конфигураций 3s²nl. Впервые оптический спектр Si II исследовали Fowler A. (1925), Bowen I. и Millikan R. (1925). Спектр похож на спектр атома алюминия, но линии смещены в коротковолновую область.

Использованная литература:

Lawler J., Dakin J. // JOSA B - 1989 - Vol. 6 - P. 1457-1466.

Hibbert A. et al. // J. Phys. B - 1992 - Vol. 25, № 20 - P. 4153-4163.

Costello J. et al. // J. Phys. B - 1998 - Vol. 31, № 4 - P. 677-688.   

Tayal S. // J. Phys. B - 2007 - Vol. 40, № 13 - P. 2551-2562. 

Migdalek J. // JQSRT - 1976 - Vol. 16, № 3 - P. 265-272.

Blanco F. et al. // Phys. Scr. - 1995 - Vol. 52, № 6 - P. 628-633.

Berry H. et al. // Phys. Scr. -1971 - Vol. 3, № 3-4 - P. 125-132.

Schectman R. et al. // Astrophys. J. - 1998 - Vol. 504, № 2 - P.921-924.

Charro E., Martin J. // Astrophys. J. suppl. ser. - 2000 - Vol. 126, № 2 - P. 551-559.

Kelleher D., Podobedova L. // J. Phys. and Chem. Ref. Data - 2008 - Vol. 37, № 3 - P. 1285-1500.

Электронная структура

Найдено 621 переходов. [Посмотреть]