Информационная система «Электронная структура атомов»

Описание элемента Ga ионы I II III IV V VI VII ⁷¹Ga ⁶⁷Ga ⁶⁵Ga

Атом Галлия, Z=31, I.P.=48387.6 см^-1, InChI: 1S/Ga

Описание

    Электронная структура атома галлия Ga I  содержит 31 электрон на 8 оболочках, из которых 30 заполнили полностью 7 оболочек и один заполняет 4р- оболочку. Основной терм - дублет ²P⁰_{1/2 - 3/2} конфигурации 4s²4p. При возбуждении  p-электрона возникают дублетные и квартерные термы конфигураций  4s²nl и 4s4p², переходы между которыми и формируют спектр атома. Впервые оптический спектр Ga I  исследовали  Fowler A. (1922), Paschen F. и Gotze R. (1922).  Подобно щелочно-земельным элементам в спектре имеются те же серии - главная  (5s - np),  диффузная  (4p - nd),  резкая (4p - ns),   и фундаментальная (4d - nf). Выше границы ионизации имеются смещенные термы конфигурации 4s4pnl.

Использованная литература:

Neijzen J., Donszelmann A. // Physica BC - 1982 - Vol. 114, № 2 - P. 241-250

Ewiss Zaki M. et al. // Astron. and Astrophys. - 1983 - Vol. 121, № 2 - P. 327-328.

Baig M. et al. // J. Phys. B - 1991 - Vol. 24, № 18 - P. 3933-3942; 1982 - Vol. 15, № 14 - P. L587-L592.

Brage T. // Phys. Rev. A - 1987 - Vol. 35, № 3 - P. 1113-1118.

Migdalek J. et al. // J. Phys. B - 1993 - Vol. 26 - P. 1403-1414; Can. J. Phys. - 1976 - Vol. 54, № 2 -  P. 118-129.

Buurman E., Donzelmann A. // Astron. and Astrophys. - 1990 - Vol. 227, № 1 - P. 289-290.

Safronova U. et al. // J. Phys. B - 2006 - Vol. 39, № 4 - P. 749-764; Phys. Lett. A - 2006 - Vol. 348 - P. 293-298.

Shirai T. et al. // J. Phys. and Chem. Ref. Data - 2007 - Vol. 36 - P. 509-615.

Yildiz M. et al. // Acta Phys. Pol. A - 2009 - Vol. 115 - P. 641-646.

Zheng N. et al. // Can. J. Phys. - 2004 - Vol. 82, № 7 - P. 523-529.

Смирнов Ю.М. // ЖПС - 1993 - Т. 58, № 3-4 - С. 401; ОиС - 2011 - Т. 110, № 1 - С. 3-10.

Электронная структура

Найдено 323 переходов. [Посмотреть]