Атом Кремния, Z=14, I.P.=65748 см-1, InChI: 1S/Si
Описание
Электронная структура атома кремния Si I содержит 14 электронов на 5 оболочках, 12 из них полностью заполнили 4 оболочки и 2 начинают заполнять 3p2-оболочку. Основной терм - триплет 3P0 - 2 конфигурации 3s23p2. При возбуждении p- электрона возникают синглетные и триплетные термы конфигураций 3s23pnl и 3s3p3, переходы между которыми формируют спектр атома. Впервые оптический спектр Si I исследовал Kiess C. (1938). Спектр занимает широкую область от УФ до ИК - (1255 - 2190100) А.
Использованная литература:
Savukov L. // Phys. Rev. A - 2016 - Vol. 93 - P. 022511.
Lawler J., Dakin J. // JOSA B - 1989 - Vol. 6 - P. 1457-1466.
Martin W., Zalubas R. // J. Phys. and Chem. Ref. Data - 1983 - Vol. 12, № 2 - P. 323-380.
Bashkin S. et al. // Phys. Scr. - 1980 - Vol. 21, № 6 - P. 820-824.
O'Brian T., Lawler J. // Phys. Rev. A - 1991 - Vol. 44, № 11 - P. 7134-7143.
Brown C. et al. // JOSA - 1974 - Vol. 64, № 12 - P. 1665-1682.
Петеркоп Р.К. // ОиС - 1985 - Т. 58, № 1 - С. 202-204.
Liang L. et al. // Opt. Commun. - 2008 - Vol. 281, № 8 - P. - 2107-2111.
Fischer Ch. // Phys. Rev. A - 2005 - Vol. 71, № 4 - P. 042506.
Kelleher D., Podobedova L. // J. Phys. and Chem. Ref. Data - 2008 - Vol. 37, № 3 - P. 1285-1500.
Gedeon V. et al. // Phys. Rev. A - 2012 - Vol. 85 - P. 022711.
Shi J. et al. // Astrophys. J. - 2012 - Vol. 755 - P. 36
Электронная структура
Найдено 543 уровней. [Посмотреть]Найдено 701 переходов. [Посмотреть]