Описание элемента Si ионы I II III IV V VI VII

Атом Кремния, Z=14, I.P.=65748 см-1, InChI: 1S/Si

Спектр атома  Кремния (Si I)

Описание

Электронная структура атома кремния Si I  содержит 14 электронов на 5 оболочках, 12 из них полностью заполнили 4 оболочки и 2 начинают заполнять 3p2-оболочку. Основной терм - триплет 3P0 - 2  конфигурации 3s23p2. При возбуждении p- электрона возникают  синглетные и триплетные термы конфигураций 3s23pnl  и 3s3p3, переходы между которыми формируют спектр атома. Впервые оптический спектр Si I  исследовал Kiess C. (1938).  Спектр занимает широкую область от УФ до ИК - (1255 - 2190100) А.

Использованная литература:

Savukov L. // Phys. Rev. A - 2016 - Vol. 93 - P. 022511.

Lawler J., Dakin J. // JOSA B - 1989 - Vol. 6 - P. 1457-1466.

Martin W., Zalubas R. // J. Phys. and Chem. Ref. Data - 1983 - Vol. 12, № 2 - P. 323-380.

Bashkin S. et al. // Phys. Scr. - 1980 - Vol. 21, № 6 - P. 820-824.

O'Brian T., Lawler J. // Phys. Rev. A - 1991 - Vol. 44, № 11 - P. 7134-7143.

Brown C. et al. // JOSA - 1974 - Vol. 64, № 12 - P. 1665-1682.

Петеркоп Р.К. //  ОиС - 1985 - Т. 58, № 1 - С. 202-204.

Liang L. et al. // Opt. Commun. - 2008 - Vol. 281, № 8 - P. - 2107-2111.

Fischer Ch. // Phys. Rev. A - 2005 - Vol. 71, № 4 - P. 042506.

Kelleher D., Podobedova L. // J. Phys. and Chem. Ref. Data - 2008 - Vol. 37, № 3 - P. 1285-1500.

Gedeon V. et al. // Phys. Rev. A - 2012 - Vol. 85 - P. 022711. 

Shi J. et al. // Astrophys. J. - 2012 - Vol. 755 - P. 36

 

Электронная структура

Найдено 543 уровней. [Посмотреть]

Найдено 701 переходов. [Посмотреть]