Ион Галлия, Z=31, I.P.=247820 см-1, InChI: 1S/Ga/q+2
Описание
Электронная стуктура иона галлия Ga III содежит 9 электронов на 7 оболочках. Основной терм - дублет 2S1/2 конфигурации 3d104s При возбуждении s-электрона возникают дублетные и квартетные термы конфигураций 3d10nl, 3d94s2, 3d9 4s4p . Впервые электронное строение иона Ga III изучали Cairoll J. (1925), Rao K. (1927). .
Использованная литература:
ShiraiT. et al. // J. Phys. and Chem. Ref. Data - 2007 - Vol. 36 - P. 509-615.
O Reillly F., Dunne P. // J. Phys. B - 1998 - Vol. 31 - P.1059-1068.
Ryabsev A., Wyart J. // Phys. Scr. - 1987 - Vol.36 - P.255-261.
Isberg B., Litzen U. // Phys. Scr. - 1986 - Vol. 33 - P. 420-423.
Электронная структура
Найдено 62 уровней. [Посмотреть]Найдено 58 переходов. [Посмотреть]