Информационная система «Электронная структура атомов»

Описание элемента Si ионы I II III IV V VI VII VIII IX X XI ²⁴Si

Ион Кремния, Z=14, I.P.=270139.3 см^-1, InChI: 1S/Si/q+2

Описание

Электронная структура иона кремния Si III содержит 12 электронов на 4-х оболочках. Основной терм - синглет ¹S  конфигурации 2p⁶3s² При возбуждении  s-электрона возникают синглетные и триплетные термы конфигураций 3snl, 3pnd, 3p².  Впервые строение иона Si III изучали Paschen F (1927), Rosen I. (1932), Robinson H. (1937).

Использованная литература:

Young P. e al. // Astrohys.J. suppl. ser. - 2011 - Vol. 196 - P. 23.

Orban I. et al. // J. Phys. B - 2007 - Vol. 40 - P. 1063-1080.

Froese Fischer C. et al. // Atom Data and Nucl. Data Tables - 2006 - Vol. 92 - P. 607-812.

Moshier J.-P. et al. // Phys. Rev. A - 2003 - Vol. 68 - P. 052712.

Chou H.-S. et al. // J. Phys. B - 1993 - Vol. 26 - P. 4079-4089. 

Serrao J. // JQSRT - 1991 - Vol. 45 - P. 343-353.

Ojha P. et al. // J. Phys. B - 1985 - Vol. 21 - P. L395-L401.

Aashamar K. et al. // Phys. Scr. - 1986 - Vol. 34 - P. 386-393.

Godefroid M. et al. // Phys. Scr. - 1985 -Vol. 32 - P. 125-128.

Электронная структура

Найдено 142 переходов. [Посмотреть]