Описание элемента Ga ионы I II III IV V VI

Атом Галлия, Z=31, I.P.=510070 см-1, InChI: 1S/Ga/q+3


Описание

    Электронная структура иона галлия Ga IV содержит 28 электронов на 6 оболочках. Основной терм - синглет 1S0  конфигурвции 3d10. При возбуждении  d-электрона возникают синглетные и триплетные термы конфигураций 3d9nl. Впервые электронное строение элемента изучал Mack J. с коллегами (1928). Оптический спектр иона Ga IV аналогичен спектрам атома никеля Ni I, ионам Cu II и Zn III.

Использованная литература:

Shirai T. et al. // J. Phys. and Chem. Ref. Data - 2007 - Vol. 36 - P. 509-615.

Safronova U. et al. // J. Phys. B - 2006 - Vol. 39 - P. 4491-4513;

                                  Atom Data and Nucl. Data Tables - 2006 - Vol. 92 - P. 47-107;

                                  Phys. Rev. A - 2000 - Vol.62 - P. 052505.  

 

Электронная структура

Найдено 191 уровней. [Посмотреть]

Найдено 594 переходов. [Посмотреть]