Ион Галлия, Z=31, I.P.=510070 см-1, InChI: 1S/Ga/q+3
Описание
Электронная структура иона галлия Ga IV содержит 28 электронов на 6 оболочках. Основной терм - синглет 1S0 конфигурвции 3d10. При возбуждении d-электрона возникают синглетные и триплетные термы конфигураций 3d9nl. Впервые электронное строение элемента изучал Mack J. с коллегами (1928). Оптический спектр иона Ga IV аналогичен спектрам атома никеля Ni I, ионам Cu II и Zn III.
Использованная литература:
Shirai T. et al. // J. Phys. and Chem. Ref. Data - 2007 - Vol. 36 - P. 509-615.
Safronova U. et al. // J. Phys. B - 2006 - Vol. 39 - P. 4491-4513;
Atom Data and Nucl. Data Tables - 2006 - Vol. 92 - P. 47-107;
Phys. Rev. A - 2000 - Vol.62 - P. 052505.
Электронная структура
Найдено 191 уровней. [Посмотреть]Найдено 594 переходов. [Посмотреть]