Описание элемента Se ионы I II III IV V VI VII VIII IX X

Ион Селена, Z=34, I.P.=346390 см-1, InChI: 1S/Se/q+3


Описание

    Электронная структура иона селена Se IV  содержит 31 электрон на 8 оболочках. Основной терм - синглет 1S0  конфигурации 3p6.  При возбуждении  p-электрона возникают синглетные и триплетные термы конфигураций 3p5nl. Впервые электронное строение элемента изучали Rao K. и Badad J. (1931).    Оптический спектр иона идентичен спектрам атома галия Ga I, ионам Ge II, As III.

Использованная литература:

Alnawaschi G. et al. // J. Phys. B - 2014 - Vol.47 - P. 105201.

Esteves D. et al. //J. Phys. B - 2012 - Vol. 45 - P. 115201.

Hu F. et al. // Phys. Rev. A - 2011 - Vol. 84 - P. 042506.

Dinerstein H. // Astrophys. J. - 2001 - Vol. 550 - P. L 223-L 226.

Ali M. // Phys. Scr.- 1997 - Vol. 55 - P. 159-166.  

Andersen T., Lindgard A. // J. Phys. B - 1977 - Vol. 14 - P. 2359-2368.  

Gautam M.,  Joshi.Y.  // Can. J. Phys. - 1972 - Vol. 50 - P. 2059-2062. 

 

 

Электронная структура

Найдено 28 уровней. [Посмотреть]

Найдено 57 переходов. [Посмотреть]