Ион Гафния, Z=72, I.P.=269150 см-1, InChI: 1S/Hf/q+3
Описание
Электронная структура иона гафния Hf IV содержит 69 электронов на 13 оболочках. Основной терм - обращеный дублет 2D5/2-3/2 конфигурации 4f135d.
Использованная литература:
Migdalek J. et al. // J. Phys. B - 2014 - Vol. 47 - P. 075003;
2012 - Vol. 45 - P. 145002; 1980 - Vol. 13 - P. L169-L174.
Meuer F. // Physica - 1974 - Vol. 72 - P. 431-432.
Klinkenberg P. et al. // Physica - 1961 -Vol. 27 - P. 151-152; 1177-1185.
Электронная структура
Найдено 42 уровней. [Посмотреть]Найдено 64 переходов. [Посмотреть]