Описание элемента Si ионы I II III IV V VI VII VIII IX X XI 24Si

Ион Кремния, Z=14, I.P.=364093 см-1, InChI: 1S/Si/q+3

Спектр иона  Кремния (Si IV)

Описание

Электронная структура иона кремния Si IV содержит 11 электронов на 4 оболочках. Основной терм - дублет 2S1/2  конфигурации 2p63s. При возбуждении s-электрона возникают дублетные термы конфигураций 2p6nl.

Использованная литература:

Nandy D., Sahoo B. // Mon. Not. R. Astron. Soc. - 2015 - Vol. 447 - P. 3812-3823.

Siems A. et al. // JQSRT - 2001 - Vol. 68 - P. 635-641.

Griesmann U., Kling R. // Astrophys. J. - 2000 - Vol 536 - P. L113-L115.

 

Электронная структура

Найдено 54 уровней. [Посмотреть]

Найдено 332 переходов. [Посмотреть]