Информационная система «Электронная структура атомов»

Описание элемента Si ионы I II III IV V VI VII VIII IX X XI ²⁴Si

Ион Кремния, Z=14, I.P.=1345070 см^-1, InChI: 1S/Si/q+4

Описание

Электронная структура иона кремния Si V содержит 10 электронов на 3 оболочках. Основной терм - синглет ¹S₀  конфигурации 2s²2p⁶. При возбуждении электрона возникают синглетные и трипетные термы конфигураций 2s²2p⁵nl.  Впервые электронное строение элемента изучали Ferner E. (1941) и Racah G. (1942).

Использованная литература:

Trigueiros A., Jupen C. // JQSRT - 1996 - Vol. 56 - P. 713.

Hibbert A. et al. // Atom Data and Nucl. Data Tables - 1993 - Vol.53 - P. 23-112.

Martin W., Zalubas P. // J. Phys. and Chem. Ref. Data - 1983 - Vol. 1 - P. 323-380.

Электронная структура

Найдено 184 переходов. [Посмотреть]