Описание элемента Si ионы I II III IV V VI VII

Атом Кремния, Z=14, I.P.=1345070 см-1, InChI: 1S/Si/q+4

Спектр иона  Кремния (Si V)

Описание

Электронная структура иона кремния Si V содержит 10 электронов на 3 оболочках. Основной терм - синглет 1S0  конфигурации 2s22p6. При возбуждении электрона возникают синглетные и трипетные термы конфигураций 2s22p5nl.  Впервые электронное строение элемента изучали Ferner E. (1941) и Racah G. (1942).

Использованная литература:

Trigueiros A., Jupen C. // JQSRT - 1996 - Vol. 56 - P. 713.

Hibbert A. et al. // Atom Data and Nucl. Data Tables - 1993 - Vol.53 - P. 23-112.

Martin W., Zalubas P. // J. Phys. and Chem. Ref. Data - 1983 - Vol. 1 - P. 323-380.

 

Электронная структура

Найдено 93 уровней. [Посмотреть]

Найдено 184 переходов. [Посмотреть]