Ион Гафния, Z=72, I.P.=551480 см-1, InChI: 1S/Hf/q+4
Описание
Электронная структура иона гафния Hf V содержит 68 электронов на 12 оболочках. Основной терм - синглет 1S0 конфигурации 4f14
Использованная литература:
Логинов А., Тучкин В. // ОиС - 2001 - Т 90 - С. 709-716..
Sugar J. Kauman V. // JOSA - 1974 - Vol. 64 - P. 1656-1664.
Электронная структура
Найдено 61 уровней. [Посмотреть]Найдено 88 переходов. [Посмотреть]