Описание элемента Ga ионы I II III IV V VI

Атом Галлия, Z=31, I.P.=693700 см-1, InChI: 1S/Ga/q+4


Описание

      Электронная структура иона галлия Ga V содержит 27 электронов на 6 оболочках. Основной терм - обращенный дублет 2D5/2-3/2  конфигурации 3d9      При возбуждении d-электрона возникают дублетные и квартетные  термы конфигураций 3d8nl.

                    

Использованная литература:

Guo X. et al // Phys. Rev. A - 2016 - Vol. 93 - P. 012513.

Guo X.Shirai T. et al. // J. Phys. and Chem. Ref. Data - 2007 - Vol. 36 - P. 509-615.

Biemont E., Hansen J. // Phys. Scr. - 1989 - Vol. 39 - P. 308-313.

Аксенов В., Рябцев А. // ОиС - 1974 - Т. 37 - С. 860-85

 Коновалов Е. // ОиС - 1967 - Т. 23 - С 170-174.

 

Электронная структура

Найдено 91 уровней. [Посмотреть]

Найдено 186 переходов. [Посмотреть]