Описание элемента Si ионы I II III IV V VI VII

Атом Кремния, Z=14, I.P.=1655590 см-1, InChI: 1S/Si/q+5


Описание

Электронная структура иона кремния Si VI содержит 9 электронов на 3 оболочках. Основной терм - обращенный дублет 2P3/2-1/2 конфигурации 2s22p5. При возбуждении p-электрона возникают дублетные и квартетные термы конфигураций  2s2p4nl, 2s2p53s, 2s2p6.

Использованная литература:

Jonsson P et al. // Atom Data and Nucl. Data Tabes - 2013 - Vol. 99 - P. 431-446.

Podobedova L. et al. // J. Phys. and Chem. Ref. Data - 2004 -Vol. 33 - P. 471-494.

Trigueiros A. et al. // Astrophys. J., suppl. ser.  1999 - Vol. 121 - P. 591.

Trigueiros A. et al. // J. Phys. B - 1992 - Vol.25 - P. 2765-2770.

 

Электронная структура

Найдено 73 уровней. [Посмотреть]

Найдено 74 переходов. [Посмотреть]