Описание элемента Si ионы I II III IV V VI VII VIII IX X XI

Атом Кремния, Z=14, I.P.=1986710 см-1, InChI: 1S/Si/q+6


Описание

   Электронная структура иона кремния Si VII содержит 8 электронов на 3 оболочках. Основной терм - обращенный триплет 3P2-0  конфигурации 2s22p4      При возбуждении  p-электрона возникают синглетные и триплетные термы конфигураций nl.

 

Santana J. et al. // Astrophys. J., suppl. ser. - 2018 - Vol. 239 - P. 13

Beiersdorfer P. et al. // Nucl. Instrum. Methods Phys. Res..// 2017 - Vol. 408 - P. 67-69.

Sossah A.  Tayal S. // Astrophys. J. - 2014 -  Vol. 787 - P. 2  -      

Podobedova L. et al.// J. Phys. and Chem. Ref. Data - 2004 - Vol. 33 - P. 471-494.  

Kink I., Engstrom L. // Phys. Scr.  1997 - Vol. 56 - P 51-56.  

 

Электронная структура

Найдено 105 уровней. [Посмотреть]

Найдено 71 переходов. [Посмотреть]